Avrupa Araştırma Konseyi’nden 5,5 milyon avro destek

Avrupa Araştırma Konseyi (ERC) tarafından Türkiye’de desteklenen 31 araştırmadan 13’ünü yürütmekte olan Koç Üniversitesi Akademisyenleri, üç yeni araştırma için hibe desteğine hak kazandı.

Avrupa Araştırma Konseyi (ERC) tarafından Türkiye’de desteklenen 31 araştırmadan 13’ünü yürütmekte olan Koç Üniversitesi Akademisyenleri, üç yeni araştırma için hibe desteğine hak kazandı. Böylece Koç Üniversitesi’nde ERC desteği alan proje sayısı 16’ya çıkmış oldu. Koç Üniversitesi, bu hibe desteği döneminde Türkiye’den ERC fonu alan tek üniversite oldu. ERC, İnsani Bilimler ve Edebiyat Fakültesi Karşılaştırmalı Edebiyat Bölümü’nden Dr. Öğr. Üyesi Özen Nergis Dolcerocca, Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü’nden Dr. Öğr. Üyesi Didem Unat ve Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü’nden Dr. Öğr. Üyesi Mehmet Cengiz Onbaşlı tarafından gerçekleştirilen projeleri, toplam 5,5 milyon Euro Başlangıç Fonu ile destekleyecek.

Bilimde mükemmeliyet merkezi olma hedefiyle kurulan Koç Üniversitesi, akademisyenlerinin başarılı çalışmaları uluslararası alanda ilgi görmeye devam ediyor. Bu kapsamda, Koç Üniversitesi araştırmacıları tarafından yürütülen üç yeni proje, 3 Eylül 2020 tarihi itibarıyla Avrupa’nın bilimsel alanda en prestijli kurumu olan Avrupa Araştırma Konseyi’nden (European Research Council - ERC) hibe desteği almaya hak kazandı. Koç Üniversitesi, bu hibe desteği döneminde Türkiye’den ERC fonu alan tek üniversite oldu. En özgün ve yenilikçi bilimsel araştırmalara destek sağlayan ERC, Türkiye’de desteklediği 31 projeden 16’sının sahibi olan Koç Üniversitesi akademisyenlerinin yeni projelerine Başlangıç Fonu ile 5,5 milyon Euro kaynak sağlayacak.

5 yıl boyunca aktarılacak olan kaynakla, İnsani Bilimler ve Edebiyat Fakültesi Karşılaştırmalı Edebiyat Bölümü’nden Dr. Öğr. Üyesi Özen Özen Nergis Dolcerocca, Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü’nden Dr. Öğr. Üyesi Didem Unat ve Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü’nden Dr. Öğr. Üyesi Mehmet Cengiz Onbaşlı alanlarında yenilikçi ve yaratıcı yöntemlerle yeni açılımlar geliştirecek olan projelerini gerçekleştirecek.

Edebiyat kuramı ve karşılaştırmalı edebiyat alanında bir ilk

Dr. Özen Nergis Dolcerocca’nın, “Modernleşen İmparatorluklar: Aydınlanma, Milliyetçi Öncüler ve Batı Dışı Edebi Moderniteler” başlıklı araştırması, edebiyat kuramı ve karşılaştırmalı edebiyat alanında bir ilki oluşturuyor. Proje, batı-doğu ikiliği arasında kalmış üç imparatorluk geleneğinin, yani Rusya, Japonya ve Osmanlı yazınının, kültürel ve dil reformlarının ve edebi yeniden doğuş hareketlerinin karşılaştırmalı çalışmasını oluşturacak. Edebi modernleşme olgusunu ulus ötesi yaklaşımla daha iyi anlama fırsatı sunacak olan araştırma, farklı çeviri pratiklerinin ve çeviri metinlerin milli edebiyatın ortaya çıkışında oynadıkları rolün analiz edilmesini de sağlamış olacak.

Moore Yasası sonrası için esnek ve hızlandırıcı merkezli programlama modeli

Dr. Didem Unat, “BeyondMoore: Moore Yasası Ötesinde Paralel Programlamaya Öncülük Etmek” başlıklı projeyi yürütüyor. Dr. Unat projesiyle, Moore Yasası’nın sonra ermesi sonucunda bilişim dünyasında oluşacak krize yazılım yönünden bir çözüm üretmeyi amaçlıyor. Proje kapsamında tasarımı gereği daha ölçeklenebilir, esnek ve hızlandırıcı merkezli bir programlama modeli geliştirilecek. Ayrıca Dr. Unat’ın projesi ERC fonu almaya hak kazanmış Türkiye’den bilgisayar bilimleri alanındaki ilk projedir.

Mobil cihazların pil süreleri onlarca kat artabilecek

“Termodinamik Limitlere Yakın Çok Düşük Güç Tüketimli ve Geniş Bantlı Spintronik Devreler” projesini yürüten Dr. Mehmet Cengiz Onbaşlı ise, ERC tarafından desteğe layık görülen araştırmasıyla, elektronların spinlerini kullanarak elektronik devrelerimizin temel yapı taşlarını yepyeni bir fizik ve kimya ile baştan tasarlıyor. Proje kapsamında, nano ölçekli dairesel spinleri kullanarak hem veri depolama hem de yapay sinir ağlarını gerçekleştirebilecek devre bileşenleri hazırlanıyor. Projeyle, yeni iki boyutlu malzeme tasarımları ve yalıtkan manyetik ince katmanlar sayesinde bilgiyi mevcut transistörlerden en az 100 kat daha düşük enerjiyle okuma, yazma ve kalıcı depolama hedefleniyor. Böylece, mobil cihazların pil sürelerinin onlarca kat artırılması planlanıyor.

Hibya Haber Ajansı

Okunma